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    • 本

    基礎からの半導体デバイス

    実用理工学入門講座

    出版社名 日新出版
    出版年月 2008年4月
    ISBNコード 978-4-8173-0232-8
    （4-8173-0232-1）
    税込価格 2,420円
    頁数・縦 １７２Ｐ　２１ｃｍ

    商品内容

    目次

    第１章　序論
    第２章　半導体の電気的特性とｐｎ接合
    第３章　電界効果型トランジスタ
    第４章　ＣＭＯＳインバータ
    第５章　ＣＭＯＳ論理回路
    第６章　ＬＳＩの設計
    第７章　ｐｎ接合：バイポーラトランジスタの理解のために
    第８章　バイポーラトランジスタ

    著者紹介

    和保　孝夫 (ワホ　タカオ)　　
    １９７５（昭和５０）年早稲田大学大学院理工学研究科（物理学および応用物理学専攻修士課程）修了。同年、日本電信電話公社（現在のＮＴＴ）入社。武蔵野電気通信研究所勤務。１９８８（昭和６３）年ＮＴＴ　ＬＳＩ研究所主幹研究員。１９９９（平成１１）年上智大学理工学部教授となり、現在に至る。理学博士。専門は電子デバイス、集積回路
    澤田　孝幸 (サワダ　タカユキ)　　
    １９７７（昭和５２）年北海道大学大学院工学研究科（電気工学専攻修士課程）修了。１９７８（昭和５３）年北海道大学助手、１９８７（昭和６２）年電気通信大学講師、翌年同准教授、１９９１（平成３）年北海道大学教授を経て、１９９４（平成６）年北海道工業大学教授となり、現在に至る。博士（工学）。専門は半導体物性・デバイス
    佐々木　公洋 (ササキ　キミヒロ)　　
    １９８３（昭和５８）年宮崎大学大学院工学研究科（電気工学専攻修士課程）修了。同年東京工業大学助手、１９９３（平成５）年金沢大学講師、１９９５（平成７）年准教授、２００６（平成１８）年教授となり、現在に至る。博士（工学）。専門は、半導体デバイス
    北川　章夫 (キタガワ　アキオ)　　
    １９８７（昭和６２）年名古屋工業大学大学院工学研究科（電気情報工学修士課程）修了。１９８９（平成１）年金沢大学助手、１９９５（平成７）年同講師、１９９７（平成９）同准教授、１９９９（平成１１）年東京大学大規模集積システム設計教育研究センター（ＶＤＥＣ）准教授、２００１（平成１３）年金沢大学大学院自然科学研究科准教授となり、現在に至る。工学博士。専門は、ＶＬＳＩ工学
    深山　正幸 (フカヤマ　マサユキ)　　
    １９８８（昭和６３）年筑波大学第三郡情報学類卒業。１９８８（昭和６３）年（株）ＰＥＦ入社。１９９５（平成７）年北陸先端科学技術大学院大学情報科学研究科情報システム学専攻博士前期課程修了。１９９６（平成８）年イノテック株式会社入社。２０００（平成１２）年金沢大学工学部電気・情報工学科助手、２００６（平成１８）年金沢大学大学院自然科学研究科講師となり、現在に至る。博士（工学）。専門は、ＶＬＳＩ工学（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）