• 本

半導体デバイスの基礎 下

バイポーラ・トランジスタと光デバイス

出版社名 シュプリンガー・ジャパン
出版年月 2008年5月
ISBNコード 978-4-431-10030-0
4-431-10030-X
税込価格 5,280円
頁数・縦 P692〜1008 21cm
シリーズ名 半導体デバイスの基礎

商品内容

要旨

本書は半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書である。一般の理工系学生を読者として想定し、特別に予備知識を前提とせずに、徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。下巻ではまずFETと並んで代表的な3端子素子である接合型バイポーラ・トランジスタ(BJT)の基本動作原理を論じた上で、等価回路モデルを用いた解説手法の解説を与える。続いてフォト・ダイオードと太陽電池、発光ダイオード(LED)、半導体レーザーなどの光デバイスに関する解説を行い、イメージ・センサーについても簡単に紹介する。末尾の付録ではウエハ(半導体基板)製造からチップのパッケージまで、通常は半導体デバイス物理の成書において解説されることの少ない製造工程の概説や、状態密度や有効質量の数式的な扱い方に関する補遺的解説も収める。

目次

第4部 バイポーラ・トランジスタ(BJT)(バイポーラ・トランジスタの静的特性
BJTの時間依存特性の解析
バイポーラ・デバイス)
第5部 光デバイス(光エレクトロニクスデバイス)
付録(半導体デバイスの製造
状態密度と有効質量
定数・単位・元素表 ほか)

著者紹介

樺沢 宇紀 (カバサワ ウキ)  
1990年大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻前期課程修了。(株)日立製作所中央研究所研究員。1996年(株)日立製作所電子デバイス製造システム推進本部技師。1999年(株)日立製作所計測器グループ技師。2001年(株)日立ハイテクノロジーズ技師(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)