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半導体デバイスシリーズ 4

パワーデバイス

出版社名 丸善
出版年月 2011年1月
ISBNコード 978-4-621-08339-0
4-621-08339-2
税込価格 6,270円
頁数・縦 248P 21cm
シリーズ名 半導体デバイスシリーズ

商品内容

要旨

電力変換・電力増幅デバイス、それぞれの役割と性能を解説。

目次

1 パワーデバイスの世界(パワーデバイスの定義
電力変換の基礎
電力増幅の基礎
電力変換と電力増幅)
2 パワーデバイスの基礎(パワーデバイスの種類
パワーデバイスの性能
半導体デバイスの基礎理論)
3 シリコンパワーデバイス(電力変換デバイスの種類とその特徴
ダイオード
MOSFET
IGBT
パワーデバイスの新しい展開)
4 化合物パワーデバイス(化合物半導体材料の特徴
シリコンカーバイドデバイス
窒化物パワーデバイス)
5 高周波パワーデバイス(ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HEMT)
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT))