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ウェスト&ハリスCMOS VLSI回路設計 基礎編

出版社名 丸善出版
出版年月 2014年1月
ISBNコード 978-4-621-08721-3
4-621-08721-5
税込価格 7,040円
頁数・縦 444,49P 21cm
シリーズ名 ウェスト&ハリスCMOS VLSI回路設計

商品内容

要旨

基礎的な原理の説明から、原理の応用、先端の設計事例にいたるまで、体系的に解説されたこの分野のバイブル。第4版ではナノメータ時代の設計技術に関する内容が充実。素子の微細化がLSI設計に与える課題として、素子の性能ばらつき、消費電力の増大、信号線および電源線のノイズ、クロック信号に関する設計を取り上げ、また65ナノメータの製造プロセスを使用した場合の例題を数多く示し、あらゆる読者のニーズに応えた内容。

目次

第1章 はじめに
第2章 MOSトランジスタの理論
第3章 CMOSプロセス技術
第4章 遅延
第5章 消費電力
第6章 配線
第7章 ロバスト性
第8章 回路シミュレーション

著者紹介

ウェスト,ニール・H.E. (ウェスト,ニールH.E.)   Weste,Neil H.E.
マクオーリー大学およびアデレード大学兼任教授。小規模の研究開発会社も経営。アデレード大学大学院修了。Ph.D.ベル研究所、デューク大学、ノースカロライナ大学等をへて現職
ハリス,デイヴィッド・マネー (ハリス,デイヴィッドマネー)   Harris,David Money
ハーベイマッド大学准教授。スタンフォード大学大学院修了。Ph.D.サン・マイクロシステムズ、インテル、ヒューレット・パッカード等をへて現職
宇佐美 公良 (ウサミ キミヨシ)  
芝浦工業大学工学部情報工学科教授。早稲田大学大学院理工学研究科修了。博士(工学)
池田 誠 (イケダ マコト)  
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻教授。東京大学大学院工学系研究科修了。博士(工学)
小林 和淑 (コバヤシ カズトシ)  
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科電子システム工学専攻教授。京都大学大学院工学研究科修了。博士(工学)(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)