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    • 本

    強誘電体デバイス

    出版社名 森北出版
    出版年月 2005年8月
    ISBNコード 978-4-627-77251-9
    （4-627-77251-3）
    税込価格 5,060円
    頁数・縦 ２８４Ｐ　２２ｃｍ

    商品内容

    目次

    必要な予備知識
    強誘電体の一般論
    強誘電体の数学的取り扱い
    材料およびデバイス設計と製造プロセス
    高誘電率誘電体
    強誘電体メモリデバイス
    焦電デバイス
    圧電デバイス
    電気光学デバイス
    ＰＴＣ材料
    複合材料
    強誘電体デバイスの将来

    著者紹介

    内野　研二 (ウチノ　ケンジ)　　
    １９５０年東京都に生まれる。１９７５年東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻修了。１９７６年東京工業大学工学部助手。１９７８年米国ペンシルベニア州立大学材質研究所研究員。１９８５年上智大学理工学部物理学科助教授。１９９１年米国ペンシルベニア州立大学工学部電気工学科教授。１９９２年同大学国際アクチュエータ・トランスデューサ研究所所長兼任。２００４年マイクロメカトロニクス社（米国）上級副社長兼職。工学博士。その間、宇宙開発事業団（ＮＡＳＤＡ）スペースシャトル利用委員会専門委員、東京セーバー電子株式会社監査役、ＮＦ回路設計ブロックシステム技術研究所副所長、ＮＦ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ、ＵＳＡ副社長、通商産業省（現経済産業省）外郭日本工業技術振興協会固体アクチュエータ研究部会（現スマートアクチュエータ／センサ委員会）委員長を歴任
    石井　孝明 (イシイ　タカアキ)　　
    １９６４年千葉県に生まれる。１９９０年上智大学大学院理工学研究科物理学専攻修了。１９９０年アルプス電気株式会社（日本）入社。１９９４年東京工業大学精密工学研究所助手。２００２年山梨大学工学部機械システム工学科助手。２００３年山梨大学大学院医学工学総合研究部工学学域助手。博士（工学）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）