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不揮発性磁気メモリMRAM ユニバーサルメモリをめざして

ケイブックス 188

出版社名 工業調査会
出版年月 2005年12月
ISBNコード 978-4-7693-1247-5
4-7693-1247-4
税込価格 2,420円
頁数・縦 230P 19cm

商品内容

要旨

「いつでも、どこでも」を標榜するユビキタス社会の到来によって、メモリは不揮発、高速で、かつ書き換え無制限であることが求められている。これによりテレビのように瞬時に立ち上がるコンピュータが実現するともいわれており、その期待は大きい。こうした要求に応え、高速大容量・不揮発・無制限書き換えをすべて満足させる可能性を持つ唯一のメモリ、それが「MRAM」である。本書は、SRAM、DRAM、フラッシュメモリのそれぞれの利点を併せ持ち、ユニバーサルメモリの最有力候補である「MRAM」について、その構造や製造技術、今後の展望などを分かりやすく解説する。

目次

第1章 不揮発性磁気メモリMRAMとは
第2章 MRAMを理解するための磁性の基礎
第3章 巨大磁気抵抗効果
第4章 トンネル磁気抵抗の原理と基本特性
第5章 TMR素子の成膜および微細加工技術
第6章 磁化反転機構―MRAMの書き込みのための基礎
第7章 MRAM開発の現状
第8章 MRAMの将来技術―ギガビット級を目指して
第9章 MRAMの応用

著者紹介

猪俣 浩一郎 (イノマタ コウイチロウ)  
東北大学大学院・工学系研究科知能デバイス材料学専攻教授。1970年3月東京都立大学大学院理学研究科博士課程修了・理学博士、同年4月東京芝浦電気(株)(現(株)東芝)・総合研究所入社、1996年首席技監(理事)、2000年4月から現職。専門:磁性・スピントロニクス。1994年Real Advances in Materials Award(米国)、1995年科学技術庁長官賞・研究功績者賞、2000年紫綬褒章(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)